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多晶硅是用冶金級硅粉通過(guò)化學(xué)、物理途徑提純制得。多晶硅按純度分類(lèi)可以分為太陽(yáng)能級多晶硅和電子級多晶硅。前者是生產(chǎn)太陽(yáng)能光伏電池的基礎材料；后者主要用于半導體工業(yè)和電子信息產(chǎn)業(yè)。我國的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)難度大、投資成本高，發(fā)展相當緩慢，所需的電子級多晶硅大部分依賴(lài)進(jìn)口。

改良西門(mén)子法是一種化學(xué)方法，首先利用冶金硅（純度要求在99.5%以上）與氯化氫（HCl）合成產(chǎn)生便于提純的三氯氫硅氣體（SiHCl3，下文簡(jiǎn)稱(chēng)TCS），然后將 TCS 精餾提純， 通過(guò)還原反應和化學(xué)氣相沉積（CVD）將高純度的TCS轉化為高純度的多晶硅，還原后產(chǎn)生的尾氣進(jìn)行干法回收，實(shí)現了氫氣和氯硅烷閉路循環(huán)利用。
改良西門(mén)子法是目前生產(chǎn)多晶硅最為成熟、最容易擴建的工藝； 目前， 80%以上的多晶硅企業(yè)采用改良西門(mén)子法（閉環(huán)式三氯氫硅還原法）生產(chǎn)多晶硅，該法生產(chǎn)電子級多晶硅具有一定的優(yōu)勢，其沉積速率較快，安全性能較好，但是相比硅烷法（SiH4分解法）具有能耗高、副產(chǎn)品量較高、投資成本大等缺點(diǎn)。

在西門(mén)子法制備多晶硅工藝過(guò)程中，SiHCl3的純度直接影響了多晶硅的品質(zhì)。目前SiHCl3的分離提純主要采用精餾方法。填料塔具有通量高，操作彈性大，在氯硅烷精餾中得到廣泛應用。
填料塔中的填料段有規整填料和散堆填料兩種選擇，但金屬絲網(wǎng)波紋填料造價(jià)高、忌堵塞和怕腐蝕；同時(shí)散堆填料分離效率低。在這種情況下一般采用金屬規整填料，可以克服二者的局限性?？装宀y填料具有不同的型號，如我們公司的客戶(hù)常定的填料型號有125Y、250Y、350Y、450Y、500Y、700Y等不同材質(zhì)的孔板波紋填料。


其中250Y型孔板波紋規整填料是研究歷史久，工業(yè)應用較廣的一種。針對250Y型孔板波紋規整填料，需合理選擇塔徑，避免塔徑偏小發(fā)生液泛，塔徑過(guò)大造成氣液分布不均和投資浪費等問(wèn)題。不銹鋼金屬孔板波紋填料，保持了絲網(wǎng)波紋填料的幾何規則結構特點(diǎn)，薄片加溝紋的結構起到了細分配液體的作用，增強了液體均布和填料潤濕的性能，提高了傳質(zhì)效率。